据韩国媒体报说念，7月1日，三星电子在当地时辰下昼阐扬批准了其第六代10nm级DRAM内存工艺——1c纳米的坐褥准备。这一决定意味着三星已全面完成1c纳米内存工夫的研发，行将迈入量产阶段。
三星行将推出的HBM4 12Hi内存家具将秉承基于1c纳米工艺的DRAM芯片，该工夫的性能发挥瞻望将对三星电子DS部门存储器行状部将来一至两年的营收情状产生进攻影响。
在此之前现金万博manbext体育官网app平台，SK海力士与好意思光也已接踵完成第六代20~10nm制程DRAM工夫的建树。至此，专家三大存储器厂商在鼓舞工艺制程投入10nm门槛的程度中均获得了关键进展。
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